從物理性質(zhì)上看，ITO靶材具有以下幾個顯著特點：

高透明度：在可見光范圍內(nèi)（波長400-700納米），ITO薄膜的透光率可高達(dá)90%以上，幾乎與普通玻璃相當(dāng)。

優(yōu)異導(dǎo)電性：其電阻率通常在10??歐姆·厘米的量級，遠(yuǎn)低于大多數(shù)透明材料。

化學(xué)穩(wěn)定性：在常溫下，ITO對水、氧氣等環(huán)境因素表現(xiàn)出良好的抗腐蝕能力。

機(jī)械耐久性：ITO薄膜具備一定的硬度和耐磨性，能夠應(yīng)對日常使用中的輕微刮擦。

這些特性讓ITO靶材在實際應(yīng)用中游刃有余，尤其是在需要兼顧光學(xué)和電學(xué)性能的場景中。

ITO靶材的核心用途是在磁控濺射工藝中作為“濺射源”。磁控濺射是一種常見的薄膜沉積技術(shù)，通過高能離子轟擊靶材表面，使靶材原子被“敲擊”出來，終沉積在基板上，形成一層均勻的ITO薄膜。這層薄膜厚度通常在幾十到幾百納米之間，卻能同時實現(xiàn)導(dǎo)電和透光的功能。

銦靶材主要由金屬銦制成，具有質(zhì)軟、延展性好和導(dǎo)電性強(qiáng)的特點。作為稀有金屬，銦在自然界的含量稀少，但其獨特的物理和化學(xué)性質(zhì)使其成為眾多高科技產(chǎn)品的核心組件。銦靶材廣泛應(yīng)用于航空航天、電子工業(yè)等領(lǐng)域，是制造高性能電子元器件的關(guān)鍵材料。

ITO（Indium Tin Oxide，氧化銦錫）靶材是一種廣泛用于透明導(dǎo)電薄膜材料制備的復(fù)合氧化物材料，其主要成分為氧化銦（In?O?）和氧化錫（SnO?）。通常，ITO靶材中氧化銦與氧化錫的質(zhì)量比例為90:10，這一比例在實際應(yīng)用中表現(xiàn)出較為理想的光電特性，使其在透明導(dǎo)電薄膜中廣泛應(yīng)用。