從物理性質上看，ITO靶材具有以下幾個顯著特點：

高透明度：在可見光范圍內（波長400-700納米），ITO薄膜的透光率可高達90%以上，幾乎與普通玻璃相當。

優(yōu)異導電性：其電阻率通常在10??歐姆·厘米的量級，遠低于大多數(shù)透明材料。

化學穩(wěn)定性：在常溫下，ITO對水、氧氣等環(huán)境因素表現(xiàn)出良好的抗腐蝕能力。

機械耐久性：ITO薄膜具備一定的硬度和耐磨性，能夠應對日常使用中的輕微刮擦。

這些特性讓ITO靶材在實際應用中游刃有余，尤其是在需要兼顧光學和電學性能的場景中。

冷等靜壓法

工藝流程：將混合粉末裝入柔性模具，在室溫下通過高壓（100-300兆帕）壓制成型，隨后在較低溫度下燒結固化。

優(yōu)點：工藝相對簡單，生產成本較低，適合小批量或定制化生產。

缺點：靶材密度和均勻性稍遜，可能在高功率濺射中表現(xiàn)不夠穩(wěn)定。

適用場景：中低端電子產品或實驗室研發(fā)用靶材。

這兩種方法各有千秋，制造商需要根據(jù)具體需求權衡成本與性能。

ITO靶材，即銦錫氧化物靶材，主要由氧化銦（In?O?）和氧化錫（SnO?）組成，其中氧化銦占比高達90%。ITO靶材因其優(yōu)異的導電性和高透光性，成為液晶顯示器（LCD）、觸摸屏及太陽能電池等光電設備的理想材料。其晶體結構穩(wěn)定，電導率高，確保了設備的運行。

ITO（Indium Tin Oxide，氧化銦錫）靶材是一種廣泛用于透明導電薄膜材料制備的復合氧化物材料，其主要成分為氧化銦（In?O?）和氧化錫（SnO?）。通常，ITO靶材中氧化銦與氧化錫的質量比例為90:10，這一比例在實際應用中表現(xiàn)出較為理想的光電特性，使其在透明導電薄膜中廣泛應用。