ITO靶材，全稱氧化銦錫靶材，是一種專門用于磁控濺射鍍膜的材料。氧化銦錫（簡稱ITO）是一種n型半導體材料，通常由90%的氧化銦（In?O?）和10%的氧化錫（SnO?）組成。這種材料以其的透明度和導電性，成為現(xiàn)代電子工業(yè)中不可或缺的組成部分。無論是智能手機的觸摸屏、平板電腦的顯示面板，還是太陽能電池的透明電極，ITO靶材都以其獨特的功能支撐著這些設備的運行。

目前，ITO靶材的制備主要有兩種常見方法：熱壓燒結(jié)法和冷等靜壓法。

熱壓燒結(jié)法

工藝流程：將氧化銦和氧化錫粉末按比例混合后，放入模具，在高溫（1000-1500°C）和高壓（幾十到幾百兆帕）下壓制成型。高溫使粉末顆粒熔融結(jié)合，形成致密的靶材結(jié)構(gòu)。

優(yōu)點：這種方法制備的靶材密度接近理論值（通常超過99%），晶粒分布均勻，適合高精度鍍膜需求。

缺點：設備復雜，能耗高，生產(chǎn)成本較高。

適用場景：高端電子產(chǎn)品，如智能手機、平板電腦的顯示屏制造。

透明導電薄膜在現(xiàn)代光電行業(yè)中具有至關(guān)重要的地位，是觸摸屏、顯示器和太陽能電池等設備中的核心組件。ITO靶材憑借其出色的透明導電特性成為制備透明導電薄膜的材料。

閉環(huán)之困：損耗與機遇并存

ITO靶材在濺射鍍膜過程中利用率通常僅30%左右，大量含銦廢料（廢舊靶材、邊角料、鍍膜腔室廢料）隨之產(chǎn)生。過去，這些價值的廢料往往被簡單處理或堆積。建立從“廢靶材→再生銦→新靶材”的閉環(huán)體系，成為破解資源約束的黃金路徑。