制造ITO靶材是一項技術(shù)密集型的工作，涉及從原料配比到成型加工的多個環(huán)節(jié)。高質(zhì)量的ITO靶材需要具備高密度、均勻性和穩(wěn)定性，而這些要求背后隱藏著復(fù)雜的工藝和諸多挑戰(zhàn)。

目前，ITO靶材的制備主要有兩種常見方法：熱壓燒結(jié)法和冷等靜壓法。

熱壓燒結(jié)法

工藝流程：將氧化銦和氧化錫粉末按比例混合后，放入模具，在高溫（1000-1500°C）和高壓（幾十到幾百兆帕）下壓制成型。高溫使粉末顆粒熔融結(jié)合，形成致密的靶材結(jié)構(gòu)。

優(yōu)點(diǎn)：這種方法制備的靶材密度接近理論值（通常超過99%），晶粒分布均勻，適合高精度鍍膜需求。

缺點(diǎn)：設(shè)備復(fù)雜，能耗高，生產(chǎn)成本較高。

適用場景：高端電子產(chǎn)品，如智能手機(jī)、平板電腦的顯示屏制造。

銦靶材主要由金屬銦制成，具有質(zhì)軟、延展性好和導(dǎo)電性強(qiáng)的特點(diǎn)。作為稀有金屬，銦在自然界的含量稀少，但其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)使其成為眾多高科技產(chǎn)品的核心組件。銦靶材廣泛應(yīng)用于航空航天、電子工業(yè)等領(lǐng)域，是制造高性能電子元器件的關(guān)鍵材料。

氧化銦是一種寬禁帶半導(dǎo)體，具有良好的光學(xué)透明性，而氧化錫的引入則增強(qiáng)了材料的導(dǎo)電性。這種成分結(jié)構(gòu)使得ITO材料在保證高透光率的同時也具有低電阻率，兼具光學(xué)和電學(xué)性能。ITO靶材的這一獨(dú)特特性使其成為透明導(dǎo)電膜的主流材料，尤其適用于要求高透明度的光電設(shè)備和顯示技術(shù)。