從化學(xué)角度看，ITO是一種復(fù)合氧化物，其性能很大程度上取決于氧化銦和氧化錫的比例。氧化銦提供高透明度，而氧化錫的摻雜則增強(qiáng)了材料的導(dǎo)電性。通過(guò)控制這兩者的配比，ITO能夠在保持光學(xué)透明的同時(shí)，具備接近金屬的導(dǎo)電能力。這種“透明卻導(dǎo)電”的特性，使得ITO成為制造透明導(dǎo)電膜的理想選擇。

制備完成后，ITO靶材在實(shí)際應(yīng)用中還會(huì)遇到一些問(wèn)題：

濺射不均勻：如果靶材內(nèi)部存在微小缺陷或成分偏差，濺射過(guò)程中可能出現(xiàn)局部過(guò)熱，導(dǎo)致薄膜厚度不一致。

靶材破裂：在高功率濺射時(shí)，靶材承受的熱應(yīng)力可能超出其極限，造成破裂，進(jìn)而影響生產(chǎn)線的連續(xù)性。

資源限制：ITO靶材依賴銦這種稀有金屬，而銦的全球儲(chǔ)量有限，價(jià)格波動(dòng)較大。這不僅推高了成本，也促使業(yè)界尋找替代方案。

ITO（Indium Tin Oxide，氧化銦錫）靶材是一種廣泛用于透明導(dǎo)電薄膜材料制備的復(fù)合氧化物材料，其主要成分為氧化銦（In?O?）和氧化錫（SnO?）。通常，ITO靶材中氧化銦與氧化錫的質(zhì)量比例為90:10，這一比例在實(shí)際應(yīng)用中表現(xiàn)出較為理想的光電特性，使其在透明導(dǎo)電薄膜中廣泛應(yīng)用。

透明導(dǎo)電薄膜在現(xiàn)代光電行業(yè)中具有至關(guān)重要的地位，是觸摸屏、顯示器和太陽(yáng)能電池等設(shè)備中的核心組件。ITO靶材憑借其出色的透明導(dǎo)電特性成為制備透明導(dǎo)電薄膜的材料。