從化學(xué)角度看，ITO是一種復(fù)合氧化物，其性能很大程度上取決于氧化銦和氧化錫的比例。氧化銦提供高透明度，而氧化錫的摻雜則增強(qiáng)了材料的導(dǎo)電性。通過(guò)控制這兩者的配比，ITO能夠在保持光學(xué)透明的同時(shí)，具備接近金屬的導(dǎo)電能力。這種“透明卻導(dǎo)電”的特性，使得ITO成為制造透明導(dǎo)電膜的理想選擇。

冷等靜壓法

工藝流程：將混合粉末裝入柔性模具，在室溫下通過(guò)高壓（100-300兆帕）壓制成型，隨后在較低溫度下燒結(jié)固化。

優(yōu)點(diǎn)：工藝相對(duì)簡(jiǎn)單，生產(chǎn)成本較低，適合小批量或定制化生產(chǎn)。

缺點(diǎn)：靶材密度和均勻性稍遜，可能在高功率濺射中表現(xiàn)不夠穩(wěn)定。

適用場(chǎng)景：中低端電子產(chǎn)品或?qū)嶒?yàn)室研發(fā)用靶材。

這兩種方法各有千秋，制造商需要根據(jù)具體需求權(quán)衡成本與性能。

ITO靶材，即銦錫氧化物靶材，主要由氧化銦（In?O?）和氧化錫（SnO?）組成，其中氧化銦占比高達(dá)90%。ITO靶材因其優(yōu)異的導(dǎo)電性和高透光性，成為液晶顯示器（LCD）、觸摸屏及太陽(yáng)能電池等光電設(shè)備的理想材料。其晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，電導(dǎo)率高，確保了設(shè)備的運(yùn)行。

氧化銦是一種寬禁帶半導(dǎo)體，具有良好的光學(xué)透明性，而氧化錫的引入則增強(qiáng)了材料的導(dǎo)電性。這種成分結(jié)構(gòu)使得ITO材料在保證高透光率的同時(shí)也具有低電阻率，兼具光學(xué)和電學(xué)性能。ITO靶材的這一獨(dú)特特性使其成為透明導(dǎo)電膜的主流材料，尤其適用于要求高透明度的光電設(shè)備和顯示技術(shù)。