碳化硅（SiC）緣何成為第三代半導體重要的材料？

在半導體技術中，需要純度的細晶粒石墨，而SiC 單晶的生長通常涉及在超過 2400 °C 的溫度下的某種物理蒸汽傳輸機制。

多孔石墨作為晶體生長過程中關鍵的材料，同時，需要純度和精度。我司可依據客戶不同的型號要求定制，滿足客戶的不同需求。