igbt驅(qū)動器是驅(qū)動igbt并對其整體性能進(jìn)行調(diào)控的裝置，它不僅影響了igbt 的動態(tài)性能，同時也影響系統(tǒng)的成本和可靠性。驅(qū)動器的選擇及輸出功率的計算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅(qū)動器功率不足或選擇錯誤可能會直接導(dǎo)致 igbt 和驅(qū)動器損壞。

在有些應(yīng)用場景下，驅(qū)動要提供豐富的保護(hù)功能。首先，驅(qū)動器要長出一雙“眼睛”（故障檢測），觀察“電燈”（負(fù)載）或者“開關(guān)”（IGBT）運(yùn)行是否正常。如果負(fù)載有異常，故障檢測立刻發(fā)送信號給“大腦”MCU，MCU發(fā)指令給IGBT驅(qū)動，IGBT驅(qū)動關(guān)閉功率器件，避免炸機(jī)。我們把具有保護(hù)功能的IGBT驅(qū)動IC稱為增強(qiáng)型驅(qū)動。IGBT驅(qū)動的保護(hù)功能包括欠壓關(guān)斷、短路保護(hù)、過壓保護(hù)、過溫保護(hù)、米勒鉗位、軟關(guān)斷等。

IGBT導(dǎo)通后的管壓降與所加?xùn)旁措妷河嘘P(guān)，在漏源電流一定的情況下，VGE越高，VDS值就越低，器件的導(dǎo)通損耗就越小，這有利于充分發(fā)揮管子的工作能力。但是， VGE并非越高越好，一般不允許超過20 V，原因是一旦發(fā)生過流或短路，柵壓越高，則電流幅值越高，IGBT損壞的可能性就越大。通常，綜合考慮取+15 V為宜。

IGBT是MOSFET管與雙極晶體管的復(fù)合器件，既有MOSFET易驅(qū)動的優(yōu)點(diǎn)，又具有功率晶體管電壓、電流容量大等優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFET管與功率晶體管之間，可正常工作于數(shù)十千赫茲的頻率范圍內(nèi)。為了讓IGBT、可靠地工作，其柵極應(yīng)連接與之匹配的驅(qū)動電路。