壓敏電阻耐壓測(cè)試源測(cè)單元簡(jiǎn)介

高電壓源測(cè)單元具有輸出及測(cè)量電壓高（3000V）、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)（1nA）的特點(diǎn)。設(shè)備工作在D一象限，輸出及測(cè)量電壓0~3000V，輸出及測(cè)量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時(shí)支持豐富的I-V掃描模式。

設(shè)備可應(yīng)用于IGBT擊穿電壓測(cè)試、IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試母線電容充電電源、IGBT老化電源、防雷二極管耐壓測(cè)試、壓敏電阻耐壓測(cè)試等場(chǎng)合。其恒流模式對(duì)于快速測(cè)量擊穿點(diǎn)具有重大意義。