在光伏領(lǐng)域，線(xiàn)鋸技術(shù)的進(jìn)步縮小了硅片厚度并降低了切割過(guò)程中的材料損耗，從而減少了太陽(yáng)能電力的硅材料消耗量。（因此，線(xiàn)鋸技術(shù)對(duì)于降低太陽(yáng)能每瓦成本并終促使其達(dá)到電網(wǎng)平價(jià)起到了至關(guān)重要的作用。的線(xiàn)鋸技術(shù)帶來(lái)了很多創(chuàng)新，提高了生產(chǎn)力并通過(guò)更薄的硅片減少了硅材料的消耗。

在米粒大的硅片上，已能集成16萬(wàn)個(gè)晶體管，這是科學(xué)技術(shù)進(jìn)步的又一個(gè)里程碑。 地殼中含量達(dá)25.8%的硅元素，為單晶硅的生產(chǎn)提供了取之不盡的源泉。由于硅元素是地殼中儲(chǔ)量豐富的元素之一，對(duì)太陽(yáng)能電池這樣注定要進(jìn)入大規(guī)模市場(chǎng)（mass market）的產(chǎn)品而言，儲(chǔ)量的優(yōu)勢(shì)也是硅成為光伏主要材料的原因之一。

多晶硅和單晶硅的差異主要在物理性質(zhì)方面，例如在力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)等方面，多晶硅不如單晶硅。多晶硅可作為控制單晶硅的原料，也是太陽(yáng)能電池和光伏發(fā)電的基礎(chǔ)材料。單晶硅可算的是世界上純凈的物質(zhì)了，一般的半導(dǎo)體器件要求硅的純度在6個(gè)9（6N)以上。大規(guī)模集成電路的要求更高，硅的純度必須達(dá)到9個(gè)9（9N）。目前，人們已經(jīng)制造出純度為12個(gè)9（12N)的單晶硅。

兩個(gè)相鄰允帶之間的區(qū)域稱(chēng)為禁帶。能級(jí)被電子占滿(mǎn)的能帶稱(chēng)為滿(mǎn)帶。能級(jí)全空著，沒(méi)有電子占據(jù)的能帶稱(chēng)為空帶。被價(jià)電子占有的允帶稱(chēng)為價(jià)帶。由一個(gè)禁帶隔開(kāi)的兩個(gè)鄰近允帶之間的小能量差稱(chēng)為能隙。通常用價(jià)電子占據(jù)的滿(mǎn)帶及其上面的空帶討論物質(zhì)導(dǎo)電情況。