單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無(wú)定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長(zhǎng)出棒狀單晶硅。

單晶硅棒是生產(chǎn)單晶硅片的原材料，隨著國(guó)內(nèi)和國(guó)際市場(chǎng)對(duì)單晶硅片需求量的快速增加，單晶硅棒的市場(chǎng)需求也呈快速增長(zhǎng)的趨勢(shì)。

區(qū)熔法單晶主要用于高壓大功率可控整流器件領(lǐng)域，廣泛用于大功率輸變電、電力機(jī)車(chē)、整流、變頻、機(jī)電一體化、節(jié)能燈、電視機(jī)等系列產(chǎn)品。晶體直徑可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成電路領(lǐng)域。

硅片回收，就是對(duì)硅片進(jìn)行回收，以便進(jìn)行硅的二次利用，從而避免其污染環(huán)境，并能夠提高硅的利用率。

硅片回收及加工過(guò)程，包括了很多步驟，但總的要求是：

(1)能夠修正一些物理性能，包括尺寸、形狀、平整度等方面；

(2)避免出現(xiàn)表面損傷，消除表面的臟污或者顆粒。

目前硅片的生產(chǎn)已經(jīng)采用多線鋸切割方法，可以生產(chǎn)出面積較大（25cm×25 cm）而厚度又相對(duì)較薄的硅片，但是在此方法的操作過(guò)程中，金屬絲要受到多種力的激勵(lì)，還要受到機(jī)械結(jié)構(gòu)的影響，就不可避免的在切割過(guò)程中產(chǎn)生變形與振動(dòng)，瞬間性的沖擊就會(huì)作用在切割的硅片上。