在2019（春季）USB PD＆Type-C亞洲大會(huì)，芯朋微應(yīng)用技術(shù)總監(jiān)王曠先布了《如何讓PD快充及無(wú)線充方案更精簡(jiǎn)？》主題演講，并現(xiàn)場(chǎng)發(fā)布了一套外圍極簡(jiǎn)、極具成本優(yōu)勢(shì)的18W USB PD快充充電器方案PN8161+PN8307H。

18W USB PD充電器方案原邊芯片PN8161采用SOP8封裝，內(nèi)部集成了準(zhǔn)諧振工作的電流模式控制器和功率MOSFET，專(zhuān)用于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的交直流轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)電源。該芯片提供了極為和性能優(yōu)異的智能化保護(hù)功能，包括輸出過(guò)壓保護(hù)、周期式過(guò)流保護(hù)、過(guò)載保護(hù)、軟啟動(dòng)功能。通過(guò)QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調(diào)制技術(shù)和特殊器件低功耗結(jié)構(gòu)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超低的待機(jī)功耗、全電壓范圍下的效率。頻率調(diào)制技術(shù)和SoftDriver技術(shù)充分保證良好的EMI表現(xiàn)，集成市電Brown in/out、AC OVP等保護(hù)，可節(jié)省啟動(dòng)電阻、CS偵測(cè)網(wǎng)絡(luò)、驅(qū)動(dòng)及分離MOSFET等近顆10元器件；

18W PD充電器方案副邊芯片PN8307H同樣采用SOP8封裝，包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系統(tǒng)中替代次級(jí)整流肖特基二極管。PN8307H內(nèi)置電壓降極低的功率MOSFET以提高電流輸出能力，提升轉(zhuǎn)換效率，使得系統(tǒng)效率可以滿足6級(jí)能效的標(biāo)準(zhǔn)，并留有足夠的裕量。PN8307H集成了極為的輔助功能，包含輸出欠壓保護(hù)、防誤開(kāi)啟、最小導(dǎo)通時(shí)間等功能，并通過(guò)控制策略創(chuàng)新降低SR反向電壓至50V以內(nèi)，顯著降低方案成本。

18W USB PD充電器整體方案方案支持90~265V市電輸入，輸出電壓范圍3.3-12V，電流分別是5V/3A、9V/2A、12V/1.5A，輸出總功率為18W，同時(shí)，該方案效率滿足CoC V5 Tier 2，擁有的EMC性能；SR與協(xié)議芯片分開(kāi)，協(xié)議芯片可根據(jù)客戶的需求任意搭配，易實(shí)現(xiàn)最簡(jiǎn)通信模塊，整體方案簡(jiǎn)潔、靈活。

目前，驪微電子供應(yīng)的基于PN8161+PN8307H18W USB PD快充充電器方案已經(jīng)量產(chǎn)出貨，并得到看客戶的高度認(rèn)可和支持，擁有更的供電能力，傳輸速率快，有效的解決了手機(jī)快速充電續(xù)航等問(wèn)題，如果需要產(chǎn)品的詳細(xì)資料，可向驪微電子申請(qǐng)。。。。